|
|||||
|
|
| 基于国产GaN HEMT器件的星载高效固放设计 | |
| 作者单位： | ;1.西南电子设备研究所;2.南京电子器件研究所 |
| 摘 要： | 介绍了一种L波段星载高效固态功放,对其中末级功率放大器的设计、固放热设计以及技术指标进行了详细阐述。末级功率放大器基于国产GaN HEMT器件,采用一种紧凑型的F类设计技术,输出功率大于48dBm,功率附加效率大于70%。对固态功放进行了60°C条件下的热仿真,微波功率管工作结温满足航天降额要求。功放测试结果表明:在工作带宽100 MHz内,连续波输出功率大于47.2dBm,效率大于52%;在温度范围-20°C~60°C条件下,输出功率稳定度小于0.2dB,群时延变化小于0.2ns。设计满足星载固态功放高功率、高效率、高可靠的应用要求。 |
| 关 键 词： | 氮化镓 星用 固态功放 F类放大器 功率附加效率 |
The Design of High Efficiency SSPA for Space Application Using Domestic GaN HEMT Device |
|
| Abstract: | |
| Keywords: | |