| Mg_(0.15)Zn_(0.85)O:Tb合金薄膜的阴极射线发光性质研究 |
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| 引用本文： | 赵东旭,刘益春,申德振,张吉英,吕有明,范希武.Mg_(0.15)Zn_(0.85)O:Tb合金薄膜的阴极射线发光性质研究[J].固体电子学研究与进展,2002(4). |
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| 作者姓名： | 赵东旭 刘益春 申德振 张吉英 吕有明 范希武 |
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| 作者单位： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室 130021
(赵东旭，刘益春，申德振，张吉英，吕有明)，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室 130021(范希武) |
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| 基金项目： | 中国科学院百人计划项目，中科院知识创新工程，国家自然科学基金项目，国家攀登计划项目的支持 |
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| 摘 要： | 采用溶胶凝胶方法成功地制备了掺杂稀土铽离子的 Zn O和 Mg0 .1 5Zn0 .85薄膜。通过对 X射线衍射结果的分析表明 ,稀土离子替代了 Zn2 +的格位 ,进入了半导体基质的晶格中。从阴极射线发光结果可以发现 ,在Mg0 .1 5Zn0 .85O基质中 ,可以观察到来源于稀土铽离子各能级的发射 ,而 Zn O:Tb的薄膜只能观察到较强的铽离子 5D4 — 7F5能级的跃迁。这可能是由于 Mg0 .1 5Zn0 .85O基质的能隙 (3 .65 e V)比 Zn O更宽 (3 .3 e V) ,其对铽离子的能量传递更有效的缘故。
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| 关 键 词： | 半导体掺杂 稀土离子 溶胶凝胶 阴极射线发光 |
The Cathodoluminescence Properties of Mg_(0.15)Zn_(0.85)O Doped with Tb |
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| ZHAO Dongxu,LIU Yichun,SHEN Dezhen,ZHANG Jiying,LU Youming,FAN Xiwu.The Cathodoluminescence Properties of Mg_(0.15)Zn_(0.85)O Doped with Tb[J].Research & Progress of Solid State Electronics,2002(4). |
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| Authors: | ZHAO Dongxu LIU Yichun SHEN Dezhen ZHANG Jiying LU Youming FAN Xiwu |
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| Abstract: | The Tb 3+ ion doped ZnO and Mg 0.85 Zn 0.15 O thin films have been successfully fabricated by the solgel deposition methods. The structure and cathodoluminescence properties were studied by the X ray diffraction (XRD) and the cathode ray excitation. From analyzing the XRD patterns of all the samples, we can find that the Tb 3+ ion is substituted for the Zn 2+ position in the host crystal lattice. And a more efficient energy transfer process can be observed in Mg 0.85 Zn 0.15 O alloy than in ZnO by detecting the cathodoluminescence spectra. |
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| Keywords: | doping rare earth sol gel cathodoluminescence |
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