| HfO_2高K栅介质薄膜的电学特性研究 |
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| 引用本文： | 韩德栋,康晋锋,刘晓彦,韩汝琦.HfO_2高K栅介质薄膜的电学特性研究[J].固体电子学研究与进展,2004,24(1):1-3. |
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| 作者姓名： | 韩德栋 康晋锋 刘晓彦 韩汝琦 |
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| 作者单位： | 北京大学微电子所,北京,100871 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究专项经费资助项目(合同号:G20000365) |
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| 摘 要： | 研究了高 K(高介电常数 )栅介质 Hf O2 薄膜的制备工艺 ,制备了有效氧化层厚度为 2 .9nm的超薄MOS电容。对电容的电学特性如 C-V特性 ,I-V特性 ,击穿特性进行了测试。实验结果显示 :Hf O2 栅介质电容具有良好的 C-V特性 ,较低的漏电流和较高的击穿电压。因此 ,Hf O2 栅介质可能成为 Si O2 栅介质的替代物。
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| 关 键 词： | 高介电常数栅介质 二氧化铪薄膜 电学特性 |
| 文章编号： | 1000-3819(2004)01-001-03 |
| 修稿时间： | 2002年1月25日 |
Study on Electrical Characteristics of High-K HfO2 Gate Dielectric Films |
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| HAN Dedong,KANG Jinfeng,LIU Xiaoyan,HAN Ruqi.Study on Electrical Characteristics of High-K HfO2 Gate Dielectric Films[J].Research & Progress of Solid State Electronics,2004,24(1):1-3. |
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| Authors: | HAN Dedong KANG Jinfeng LIU Xiaoyan HAN Ruqi |
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| Abstract: | Ultra thin HfO 2 gate dielectric films fabricated by ion beam sputtering a sintered HfO 2 target. Capacitance voltage ( C V ), current voltage ( I V ), and breakdown characteristics of gate dielectric were studied. Results show that HfO 2 gate dielectric hold good electrical characteristics. Thus, HfO 2 is a promising candidate for SiO 2 gate dielectric. |
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| Keywords: | high K gate dielectric HfO 2 electrical characteristics |
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