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| 基于InP HBT工艺的高功率高谐波抑制W波段宽带八倍频器MMIC | |
| 引用本文： | 刘尧,潘晓枫,程伟,王学鹏,姚靖懿,陶洪琪.基于InP HBT工艺的高功率高谐波抑制W波段宽带八倍频器MMIC[J].固体电子学研究与进展,2021,41(1):24-28,34. |
| 作者姓名： | 刘尧 潘晓枫 程伟 王学鹏 姚靖懿 陶洪琪 |
| 作者单位： | 南京电子器件研究所,微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京,210016 |
| 摘 要： | 基于0.7μm InP HBT工艺,设计实现了一种高功率高谐波抑制比的W波段倍频器MMIC。电路二倍频单元采用有源推推结构,通过3个二倍频器单元级联形成八倍频链,并在链路的输出端加入输出缓冲放大器,进一步提高倍频输出功率。常温25℃状态下,当输入信号功率为0 dBm时,倍频器MMIC在78.4~96.0 GHz输出频率范围内,输出功率大于10 dBm,谐波抑制度大于50 dBc。芯片面积仅为2.22 mm2,采用单电源+5 V供电。 |
| 关 键 词： | 磷化铟 高谐波抑制 W波段倍频器MMIC |
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