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| Ⅲ-Ⅴ族HBT小信号模型直接提取方法 | |
| 引用本文： | 王储君,钱峰,项萍,郑惟彬.Ⅲ-Ⅴ族HBT小信号模型直接提取方法[J].固体电子学研究与进展,2014(1). |
| 作者姓名： | 王储君 钱峰 项萍 郑惟彬 |
| 作者单位： | 南京电子器件研究所; |
| 摘 要： | 介绍了一种较为精确的Ⅲ-Ⅴ族HBT小信号模型的直接提取方法。该方法中的HBT小信号等效电路拓扑结构采用混合PI型结构,并通过在不同偏置状态下的测量进行模型参数的提取。采用该方法对2μm工艺、叉指数为2、发射结面积为2μm×20μm的HBT模型管进行了提取,提取结果在DC-20GHz频率范围内具有较好的精度,提取误差小于6%。 |
| 关 键 词： | 异质结双极性晶体管 小信号模型 砷化镓 |
Direct Extraction Method of Small-signal Model forⅢ-Ⅴ HBT |
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