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| 0.5dB噪声系数高线性有源偏置低噪声放大器 | |
| 引用本文： | 吴健,郑远,艾宣,顾晓瑀,朱彦青,陈新宇,杨磊,钱峰.0.5dB噪声系数高线性有源偏置低噪声放大器[J].固体电子学研究与进展,2014(3). |
| 作者姓名： | 吴健 郑远 艾宣 顾晓瑀 朱彦青 陈新宇 杨磊 钱峰 |
| 作者单位： | 南京国博电子有限公司;南京电子器件研究所; |
| 摘 要： | 设计了一种宽带、噪声系数仅为0.48dB的有源偏置超低噪声放大器。低噪声放大器采用0.5μm GaAs E-PHEMT工艺研制,2.0mm×2.0mm×0.75mm 8-pin双侧引脚扁平无铅封装,具有低噪声、高增益、高线性等特点,是GSM/CDMA基站应用上理想的一款低噪声放大器。 |
| 关 键 词： | 低噪声放大器 高线性 有源偏置 高增益 |
Highly Linear Active Bias LNA with 0.5dB Noise Figure |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
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