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| 相对介电常数大于100的BST(钛酸锶钡)薄膜 | |
| 引用本文： | 张龙,朱健,林立强,卓敏.相对介电常数大于100的BST(钛酸锶钡)薄膜[J].固体电子学研究与进展,2005,25(1):64-64. |
| 作者姓名： | 张龙 朱健 林立强 卓敏 |
| 作者单位： | 南京电子器件研究所，南京电子器件研究所，南京电子器件研究所，南京电子器件研究所 南京，210016，南京，210016，南京，210016，南京，210016 |
| 摘 要： | 南京电子器件研究所采用 RF磁控溅射法成功研制出室温下相对介电常数高于 1 0 0的 BST薄膜。采用具有自主知识产权的工艺技术制作了大直径 BST溅射靶材 ,用这种靶材制作 Pt/BST/Pt薄膜电容 ,在 Si/Si O2 衬底上溅射 BST,其膜厚典型值 2 80 nm。该技术采用了在 RF磁控溅射 BST时 |
| 关 键 词： | 南京电子器件研究所 相对介电常数 BST薄膜 磁控溅射 |
BST Films with Dielectric Constant Exceeded100 |
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