| 改进的Triquint-Materka PHEMT模型 |
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| 引用本文： | 李辉,洪伟,张斌,施江伟,铁宏安.改进的Triquint-Materka PHEMT模型[J].固体电子学研究与进展,2006,26(1):49-51. |
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| 作者姓名： | 李辉 洪伟 张斌 施江伟 铁宏安 |
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| 作者单位： | 1. 南京电子器件研究所,南京,210016
2. 东南大学,南京,210096 |
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| 摘 要： | 针对PHEMT器件的特点,在Angelov模型和Triquint-Materka模型的基础上给出了一种新的模型,新的模型在直流特性和S参数拟合结果上都有很好的表现.文章以南京电子器件研究所的400 μm栅宽、1.5 μm栅长的PHEMT器件为例,给出了直流及S参数的拟合结果.
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| 关 键 词： | 赝配高电子迁移率晶体管 模型 S参数 |
| 文章编号： | 1000-3819（2006）01-049-03 |
| 收稿时间： | 2004-05-09 |
| 修稿时间： | 2004-10-19 |
An Improved Triquint-Materka PHEMT Model |
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| LI Hui,HONG Wei,ZHANG Bin,SHI Jiangwei,TIE Hong'an.An Improved Triquint-Materka PHEMT Model[J].Research & Progress of Solid State Electronics,2006,26(1):49-51. |
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| Authors: | LI Hui HONG Wei ZHANG Bin SHI Jiangwei TIE Hong'an |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | PHEMT model S-parameter |
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