| 跨导为220mS/mm的AlGaN/GaN HEMT |
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| 引用本文： | 张小玲,吕长志,谢雪松,何焱,侯英梁,冯士维,李志国,曾庆明.跨导为220mS/mm的AlGaN/GaN HEMT[J].固体电子学研究与进展,2004,24(2):209-211. |
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| 作者姓名： | 张小玲 吕长志 谢雪松 何焱 侯英梁 冯士维 李志国 曾庆明 |
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| 作者单位： | 北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京,100022;河北半导体研究所,石家庄,050051 |
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| 摘 要： | 介绍了 Al Ga N/ Ga N HEMT器件的研制及室温下器件特性的测试。漏源欧姆接触采用 Ti/ Al/ Pt/ Au,肖特基结金属为 Pt/ Au。器件栅长为 1 μm,获得最大跨导 2 2 0 m S/ mm,最大的漏源饱和电流密度 0 .72 A/ mm。由 S参数测量推出器件的截止频率和最高振荡频率分别为 1 2 GHz和 2 4GHz。
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| 关 键 词： | 氮化镓 高电子迁移率晶体管 直流特性 |
| 文章编号： | 1000-3819(2004)02-209-03 |
| 修稿时间： | 2002年11月7日 |
AlGaN/GaN HEMT with Transconductance of Over 220 mS/mm |
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| ZHANG XiaolingL ChangzhiXIE XuesongHE YanHOU YingliangFENG ShiweiLI Zhiguo.AlGaN/GaN HEMT with Transconductance of Over 220 mS/mm[J].Research & Progress of Solid State Electronics,2004,24(2):209-211. |
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| Authors: | ZHANG XiaolingL ChangzhiXIE XuesongHE YanHOU YingliangFENG ShiweiLI Zhiguo |
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| Abstract: | In the paper, the fabrication of AlGaN/GaN HEMT and its properties at RT are reported. Source-drain ohmic contacts and Schottky metal system are Ti/Al/Pt/Au & Pt/Au,respectively. The gate length of the device is 1 μm. We obtained a maximum transconductance of 220 mS/mm, and a saturated current density of 0.72 A/mm. On-wafer measurements of S parameter result in an extrapolated f T of 12 GHz and f max of 24 GHz. |
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| Keywords: | GaN HEMT DC characteristics |
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