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| CdS电子结构及光电特性的第一性原理研究 | |
| 作者单位： | ;1.安顺学院数理学院;2.贵州民族大学理学院 |
| 摘 要： | 研究了各向极化对CdS电子结构及光电特性的影响。采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理超软赝势方法对CdS基态的电子结构和光电特性进行系统地计算,计算得到CdS是带隙宽带为1.943eV的直接带隙半导体材料。价带主要由S 3p态电子贡献,Cd 4p和Cd 4d态电子贡献较少;导带主要由Cd 4d5s和S 3p态电子决定,S 3s态电子贡献较少。在a、b、c三个方向的极化下研究CdS光学特性的各向异性,沿a方向和b方向极化的各个光学参量都完全相同,静态介电常数为7.234,但沿c方向的静态介电常数为6.273。其它光学参量的各向异性变化与介电函数相同,表明CdS晶体光学性质存在各向异性。计算结果为CdS光电特性的研究提供理论依据。 |
| 关 键 词： | CdS 电子结构 光电特性 各项异性 第一性原理 |
The First-principles Study of Electric Structure and Optical-electrical Characteristic of CdS |
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