| 不同工艺下GaAs MESFET阈值电压均匀性的研究 |
| |
| 引用本文： | 刘汝萍,夏冠群,赵建龙,吴剑萍,詹琰.不同工艺下GaAs MESFET阈值电压均匀性的研究[J].固体电子学研究与进展,2001,21(4):394-399. |
| |
| 作者姓名： | 刘汝萍 夏冠群 赵建龙 吴剑萍 詹琰 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所, |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金 (批准号 :6 96 76 0 0 3)，GaAs集成电路国家重点实验室资助项目，离子束开放实验室资助项目 |
| |
| 摘 要： | 分别采用挖槽工艺和平面选择离子注入自隔离工艺对 Ga As MESFET Vth(阈值电压 )均匀性进行了研究。结果表明 ,采用平面工艺方法获得的 Ga As单晶 MESFET Vth均匀性与采用挖槽工艺相比 ,更能反映单晶材料质量的实际情况 ,Ga As单晶 MESFET Vth均匀性研究宜采用平面工艺
|
| 关 键 词： | 金属-肖特基势垒场效应晶体管 阈值电压 砷化镓 |
| 文章编号： | 1000-3819(2001)04-394-06 |
| 修稿时间： | 1999年9月27日 |
Influence of Process on GaAs MESFETs Vth Uniformity |
| |
| LIU Ruping,XIA Guanqun,ZHAO Jianlong,WU Jianping,ZHAN Yan.Influence of Process on GaAs MESFETs Vth Uniformity[J].Research & Progress of Solid State Electronics,2001,21(4):394-399. |
| |
| Authors: | LIU Ruping XIA Guanqun ZHAO Jianlong WU Jianping ZHAN Yan |
| |
| Abstract: | The V th uniformity of GaAs MESFET fabricated using two processes, recessed gate process and planar selectively ion implantation process, is reported in this paper. The results show that the V th uniformity of GaAs MESFET fabricated using planar selectively ion implantation is better than that fabricated using recessed gate process. |
| |
| Keywords: | MESFET threshold voltage GaAs |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
