| SiGe HBT的线性度研究（英文） |
| |
| 引用本文： | 张贵恒,张为,付军,王玉东.SiGe HBT的线性度研究（英文）[J].固体电子学研究与进展,2015(2):139-144. |
| |
| 作者姓名： | 张贵恒 张为 付军 王玉东 |
| |
| 作者单位： | 天津大学电子信息工程学院;清华大学微电子学研究所 |
| |
| 摘 要： | 应用一种改进的片上线性度测试方法来对上海华虹宏力半导体制造有限公司生产的SiGe HBT进行测试,得到了一个较好的测试结果,同时对其线性度随偏置情况的变化以及引起变化的机制进行了分析和讨论。通过分析表明:在集电极偏置电流较小时,SiGe HBT的线性度主要受器件跨导和雪崩倍增效应的限制;在中等大小的集电极偏置电流下,SiGe HBT的非线性主要由集电结势垒电容所产生;在大的集电极偏置电流下,大电流效应是产生非线性的主要原因。
|
| 关 键 词： | 锗化硅异质结晶体管 负载牵引系统 线性度 非线性因素 |
The Study of the Linearity of SiGe HBT |
| |
| ZHANG Guiheng;ZHANG Wei;FU Jun;WANG Yudong.The Study of the Linearity of SiGe HBT[J].Research & Progress of Solid State Electronics,2015(2):139-144. |
| |
| Authors: | ZHANG Guiheng;ZHANG Wei;FU Jun;WANG Yudong |
| |
| Affiliation: | ZHANG Guiheng;ZHANG Wei;FU Jun;WANG Yudong;School of Electronic Information Engineering,Tianjin University;Institute of Microelectronics,Tsinghua University; |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
|
