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| 具有低温特性的宽频带P－HEMT MMIC LNA | |
| 引用本文： | 孙再吉.具有低温特性的宽频带P－HEMT MMIC LNA[J].固体电子学研究与进展,1994(3). |
| 作者姓名： | 孙再吉 |
| 摘 要： | 具有低温特性的宽频带Ｐ－ＨＥＭＴ ＭＭＩＣ ＬＮＡ《ＩＥＥＥＴＭＴ＆Ｔ》１９９３年第６—７期报道了使用０．２μｍＴ型栅，ＩｎＧａＡｓＰ－ＨＥＭＴ工艺制作了两个８～１８ＧＨＺ宽带单级ＭＭＩＣ低噪声放大器。其中一个为平衡结构的Ｐ－ＨＥＭＴＭＭＩＣＬＮＡ，... |
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