| 等离子体氧化nc-Si/SiO_2多层膜的蓝光发射 |
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| 引用本文： | 马忠元,王立,陈坤基,李伟,张林,鲍云,王晓伟,徐俊,黄信凡,冯端.等离子体氧化nc-Si/SiO_2多层膜的蓝光发射[J].固体电子学研究与进展,2002,22(4):454-457. |
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| 作者姓名： | 马忠元 王立 陈坤基 李伟 张林 鲍云 王晓伟 徐俊 黄信凡 冯端 |
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| 作者单位： | 南京大学物理系固体微结构国家重点实验室,210093 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 (90 10 2 0 ,60 0 710 19)，江苏省自然科学基金 (BK2 0 0 10 2 8,BG2 0 0 10 0 2 ) |
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| 摘 要： | 报道了在等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)系统中用交替淀积 a-Si对其进行原位等离子体氧化的方法制备了 a-Si∶H/ Si O2 多层膜。随着 a-Si∶H子层的厚度从 3 .8nm减小到 1 .5 nm,a-Si∶H/ Si O2 多层膜的光吸收边和光致发光 (PL )出现了蓝移。在晶化的 a-Si∶ H/ Si O2 多层膜中不仅观察到室温下的红光带 (80 0nm)的发光峰 ,而且还观察到蓝光发射 (4 2 5 nm) ,结合 Raman,TEM和 PL测试 ,对其原因作了简单的分析
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| 关 键 词： | 等离子体氧化 纳米硅 光致发光 硅/二氧化硅多层膜 |
| 文章编号： | 1000-3819(2002)04-454-04 |
| 修稿时间： | 2001年12月25 |
Blue-light Emission in nc-Si/SiO2 MultilayersFabricated Using Layer by Layre Plasma Oxidation |
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| MA Zhongyuan,WANG Li,CHEN Kunji,LI Wei,ZHANG Lin,BAO Yun,WANG Xiaowei,XU Jun,HUANG Xinfan,FENG Duan.Blue-light Emission in nc-Si/SiO2 MultilayersFabricated Using Layer by Layre Plasma Oxidation[J].Research & Progress of Solid State Electronics,2002,22(4):454-457. |
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| Authors: | MA Zhongyuan WANG Li CHEN Kunji LI Wei ZHANG Lin BAO Yun WANG Xiaowei XU Jun HUANG Xinfan FENG Duan |
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| Abstract: | We report a new fabrication method of a Si∶H/SiO 2 multilayers by using well controlled layer by layer plasma oxidation in plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) system. The blueshift of the absorption edge and photoluminescence (PL) peak from as deposited a Si∶H/SiO 2multilayers is observed when the a Si∶H sublayer thickness decreases from 3.8 nm to 1.5 nm. A strong room temperature blue PL (～425 nm) is clearly observed, for the first time, in crystallized a Si∶H/SiO 2multilayers in addition to PL at 800 nm. In combination with Raman, TEM and PL measurements, the origin of the blue light emission is briefly discussed. |
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| Keywords: | plasma oxidation nanocrystalline silicon photoluminescence Si/SiO 2 multilayers |
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