|
|||||
|
|
| pMOS器件NBTI效应随着器件参数变化规律的一种模型 | |
| 作者单位： | ;1.深圳大学光电工程学院;2.深圳大学电子科学与技术学院 |
| 摘 要： | 器件的负偏压温度不稳定性(Negative bias temperature instability,NBTI)退化依赖于栅氧化层中电场的大小和强反型时沟道空穴浓度,沟道掺杂浓度的不同显然会引起栅氧化层电场的变化。栅氧化层的厚度不仅影响栅氧化层电场,而且会影响沟道空穴浓度,因而,改变沟道掺杂浓度和栅氧化层厚度会引起NBTI退化的不同。首先利用pMOSFETS器件的能带图和NBTI的退化模型,推导出了器件NBTI随器件参数变化的公式,并修订了NBTI的数值模拟方法,然后分别利用理论计算和数值模拟的方法对不同器件参数、相同阈值电压的器件进行定量地计算和仿真,继而总结出一种分析器件NBTI退化的应用模型,可对集成电路和器件的可靠性设计提供指导。 |
| 关 键 词： | 半导体物理 负偏压温度不稳定性 阈值电压 沟道掺杂浓度 栅氧厚度 可靠性 |
A Model for the NBTI Effect of pMOSFETS with Device Parameter Variations |
|
| Abstract: | |
| Keywords: | |