| 短沟道双栅MOSFET二维表面势解析模型 |
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| 引用本文： | 王睿,赵青云,朱兆旻,顾晓峰.短沟道双栅MOSFET二维表面势解析模型[J].固体电子学研究与进展,2013,33(4). |
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| 作者姓名： | 王睿 赵青云 朱兆旻 顾晓峰 |
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| 作者单位： | 轻工过程先进控制教育部重点实验室,江南大学电子工程系,江苏,无锡,214122 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目，中央高校基本科研业务费专项资金资助项目，专用集成电路与系统国家重点实验室开放研究课题基金资助项目，江苏高校优势学科建设工程，江苏省六大人才高峰资助项目 |
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| 摘 要： | 采用分解电势的方法求解二维泊松方程,建立了考虑电子准费米势的短沟道双栅MOSFET的二维表面势模型,并在其基础上导出了阈值电压、短沟道致阈值电压下降效应和漏极感应势垒降低效应的解析模型。研究了不同沟道长度、栅压和漏压情况下的沟道表面势,分析了沟道长度和硅膜厚度对短沟道效应的影响。研究结果表明,电子准费米势对开启后的器件漏端附近表面势有显著影响,新模型可弥补现有模型中漏端附近表面势误差较大的缺点;对于短沟道双栅MOSFET,适当减小硅膜厚度可抑制短沟道效应。
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| 关 键 词： | 双栅金属氧化物半导体场效应管 表面势 阈值电压 短沟道效应 解析模型 |
2-D Analytical Surface Potential Model for Short Channel DG MOSFETs |
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| WANG Rui
,
ZHAO Qingyun
,
ZHU Zhaomin
,
GU Xiaofeng.2-D Analytical Surface Potential Model for Short Channel DG MOSFETs[J].Research & Progress of Solid State Electronics,2013,33(4). |
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| Authors: | WANG Rui ZHAO Qingyun ZHU Zhaomin GU Xiaofeng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | double-gate (DG) MOSFET surface potential threshold voltage short channel effect analytical model |
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