| 固态源分子束外延生长碳掺杂InGaAs材料研究 |
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| 引用本文： | 于海龙,高汉超,王伟,马奔,尹志军,李忠辉.固态源分子束外延生长碳掺杂InGaAs材料研究[J].固体电子学研究与进展,2022,42(1):58-62. |
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| 作者姓名： | 于海龙 高汉超 王伟 马奔 尹志军 李忠辉 |
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| 作者单位： | 微波毫米波单片和集成电路重点实验室,南京电子器件研究所,南京,210016 |
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| 摘 要： | 采用固态源分子束外延系统（SSMBE），以四溴化碳（CBr4）作为碳掺杂源，系统研究了半绝缘InP衬底上碳掺杂InGaAs材料的外延工艺。为得到高质量高浓度P型掺杂InGaAs材料，分别对外延过程中的脱膜工艺、P/As切换工艺以及生长温度等关键参数进行研究。通过扫描透射电子显微镜（STEM）测量衬底表面氧化膜厚度，量化氧化膜厚度与脱膜时间的关系。通过P/As束流切换工艺，得到无P/As互混的InP/InGaAs界面。研究CBr4束流对InGaAs外延层中In组分的影响，以及不同CBr4束流对应的P型掺杂InGaAs材料载流子浓度和迁移率，研究CBr4束流以及外延生长温度对InGaAs材料表面形貌和电学性能的影响。当CBr4束流为26.66 Pa，生长温度为480℃时，可以得到载流子浓度为1×1020cm-3，表面平整的高质量碳掺杂InGaAs材料。
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| 关 键 词： | 分子束外延 铟镓砷 四溴化碳 氧化膜 |
Solid Source Molecular Beam Epitaxy of Carbon Doped InGaAs Materials |
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| YU Hailong,GAO Hanchao,WANG Wei,MA Ben,YIN Zhijun,LI Zhonghui.Solid Source Molecular Beam Epitaxy of Carbon Doped InGaAs Materials[J].Research & Progress of Solid State Electronics,2022,42(1):58-62. |
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| Authors: | YU Hailong GAO Hanchao WANG Wei MA Ben YIN Zhijun LI Zhonghui |
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