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4英寸f_(max)=620 GHz的0.25μm InP DHBT北大核心
引用本文:戴姜平,常龙,李征,王学鹏,林浩,程伟.4英寸f_(max)=620 GHz的0.25μm InP DHBT北大核心[J].固体电子学研究与进展,2022(3):191-195.
作者姓名:戴姜平  常龙  李征  王学鹏  林浩  程伟
作者单位:南京电子器件研究所
摘    要:报道了一款在101.6 mm(4英寸)InP晶圆上制备的特征尺寸为0.25μm的磷化铟双异质结双极型晶体管。采用发射极自对准技术和介质钝化工艺,器件的发射极典型尺寸为0.25μm×3.00μm,最大电流增益为25,当发射极电流密度为10μA/μm^(2)时,器件的击穿电压达到了4.2 V,电流增益截止频率为390 GHz,最高振荡频率为620 GHz。建立了用于提取器件寄生参数的小信号等效电路模型,模型的仿真结果与高频实测数据具有很好的拟合精度。

关 键 词:磷化铟双异质结双极型晶体管  自对准  介质钝化  小信号模型
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