|
|||||
|
|
| 3300 V FS型IGBT器件研制 | |
| 作者单位： | ;1.全球能源互联网研究院功率半导体研究所 |
| 摘 要： | 基于现有仿真及工艺平台,设计一款3 300V/50A场截止型绝缘栅双极晶体管器件(FS-IGBT),元胞采用场截止型平面栅结构,元胞注入采用自对准工艺,背面P型集电极采用透明集电极技术,降低导通状态的饱和压降。采用二维数值仿真主要研究了FS结构以及P~+集电极掺杂参数对器件性能的影响,通过参数拉偏仿真,重点分析了FS层和集电极P区注入剂量对器件参数的影响,确认了最佳的工艺窗口条件。通过合作方工艺平台对最终的结构进行了加工,最终测试结果显示IGBT器件通态压降为2.8V,击穿电压大于4 250V,关断损耗37mJ,开通损耗50mJ。 |
| 关 键 词： | 场截止型绝缘栅双极晶体管 击穿电压 饱和压降 关断损耗 |
Development of a 3300V Field Stop IGBT |
|
| Abstract: | |
| Keywords: | |