| 2～6GHz单片功率放大器 |
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| 引用本文： | 朱轩昂,林金庭,陈效建.2～6GHz单片功率放大器[J].固体电子学研究与进展,2001,21(2):119-125. |
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| 作者姓名： | 朱轩昂 林金庭 陈效建 |
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| 作者单位： | 南京电子器件研究所, |
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| 摘 要： | 报道了有耗匹配宽带单片功率放大器的研究方法和结果。该两级单片功放电路采用自建的 Root非线性模型进行了谐波平衡分析。在 2 .0～ 6.7GHz频带上线性增益为 17d B,平坦度为± 0 .75d B,输入和输出驻波分别小于 2。全频带上 ,饱和输出功率为 1～ 1.4 W,功率附加效率大于2 0 %。该宽带单片功率放大器在 76mm Ga As单片 MMIC工艺线上用全离子注入、0 .5μm栅长工艺研制完成 ,电路芯片面积为 0 .1mm× 2 .6mm× 2 .7mm。
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| 关 键 词： | 微波单片集成电路 有耗匹配 宽带功率放大器 Root场效应管模型 |
| 文章编号： | 1000-3819(2001)02-0119-07 |
| 修稿时间： | 1999年7月7日 |
2～6 GHz MMIC Power Amplifier |
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| Abstract: | Design approach and performance of 0.5 μm fully ion implant broadband MMIC power amplifier is reported. The lossy match MMIC amplifier is designed and optimized with nonlinear Root model. The amplifier has better than 3∶1 bandwidth, 1 to 1.4 watt CW output power, and greater than 20 percent power added efficiency (PAE) across the 2～6.7 GHz frequency band. The linear gain is 17 dB with a flatness of ±0.75 dB. Input/output VSWRs are better than 2∶1. The chip size is 0.1 mm×2.6 mm×2.7 mm. |
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| Keywords: | MMIC lossy matching broadband power amplifier Root FET model |
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