| 一种高精度能隙基准电压电路 |
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| 引用本文： | 李浩亮,何乐年,严晓浪.一种高精度能隙基准电压电路[J].固体电子学研究与进展,2005,25(1):77-80. |
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| 作者姓名： | 李浩亮 何乐年 严晓浪 |
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| 作者单位： | 浙江大学超大规模集成电路设计研究所,杭州,310027;浙江大学超大规模集成电路设计研究所,杭州,310027;浙江大学超大规模集成电路设计研究所,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 国家 8 63高科技计划项目 (NO.2 0 0 2 AA1Z13 2 0 ) |
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| 摘 要： | 在分析了几种基准电压源的基础上 ,设计并实现了一种高精度用于高速串行通信接口的 CMOS能隙基准电压电路。电路采用了两级高增益运放的优化结构 ,基于 TSMC公司的 CMOS 0 .2 5μm混合信号模型的仿真结果表明电路输出电压在 -5 0～ 70°C的温度内波动范围为 0 .0 5 7%。芯片流片测试结果发现基准电压电路在输入电压为 2 .5 V的条件下 ,工作在 -5 0～ 70°C的温度范围内 ,输出电压变化范围为 1 .2 3 3 7～ 1 .2 3 5 6V,输出电压变化率为 0 .1 5 4% ,与仿真结果之间的平均偏差为 0 .0 1 6%。能隙基准电压电路的版图面积为 1 5 8μm× 1 64μm。
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| 关 键 词： | 能隙 电压基准 高精度 互补金属氧化物半导体 |
| 文章编号： | 1000-3819(2005)01-077-04 |
| 修稿时间： | 2004年4月30日 |
A High Precision Circuit of Bandgap Voltage Reference |
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| LI Haoliang,HE Lenian,YAN Xiaolang.A High Precision Circuit of Bandgap Voltage Reference[J].Research & Progress of Solid State Electronics,2005,25(1):77-80. |
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| Authors: | LI Haoliang HE Lenian YAN Xiaolang |
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| Abstract: | Based upon analysis of several type s of bandgap voltage reference circuit, we demonstrate a high precision circuit of bandgap voltage reference with relatively simple structure for high-speed se rial link. With an improved structure of two-stage high-gain operational ampli fier, the simulation results show that the error in worst case is 0.057% over th e temperature range of -50～70 °C. Test circuits have been fabricated in TSMC 0.25 μm CMOS mixed-signal model process. Experimental results yield an output voltage 1.233 7～1.235 6 V which is constant within 0.154% over the tempe rature range of -50～70 °C with power supply of 2.5 V, and a vera ge error of 0.016% between simulation and experimental results. The chip area of bandgap voltage reference circuit is 158 μm×164 μm. |
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| Keywords: | bandgap voltage reference high-precise CMOS |
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