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| GAT栅屏蔽效应二维解析模型 | |
| 作者姓名： | 庄宝煌 黄美纯 朱梓忠 李开航 |
| 作者单位： | 厦门大学物理学系!361005 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金!( No.698962 60 -0 6),国家高技术研究发展计划!( 863 -71 5-0 1 0 ) |
| 摘 要： | 建立了 GAT器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型 ,定量研究了GAT的栅屏蔽效应的解析表达式 ,并借助计算机对栅屏蔽效应给以证实。该模型可供优化设计双极型高频、高压、低饱和压降功率器件参考。 |
| 关 键 词： | 功率器件 联栅晶体管 屏蔽效应 解析模型 |
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