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AlGaN/GaN一维模型自洽求解和二维电子气特性研究
引用本文:祃龙,王燕,余志平,田立林.AlGaN/GaN一维模型自洽求解和二维电子气特性研究[J].固体电子学研究与进展,2005,25(2):172-176.
作者姓名:祃龙  王燕  余志平  田立林
作者单位:清华大学微电子所,北京,100084
基金项目:国家重点基础研究专项基金(2002CB311907)资助
摘    要:实现了一维Poisson-Schrodinger方程的自洽求解,在此基础上求出了AlGaN/GaN异质结导带结构和二维电子气分布。计算结果表明极化效应是形成高浓度电子面密度的主要因素。研究了AlGaN/GaN系统中隔离层厚度对二维电子气浓度的影响,并对计算结果进行了分析。

关 键 词:铝镓氮/氮化镓  泊松方程  薛定谔方程  自洽解  二维电子气
文章编号:1000-3819(2005)02-172-05
修稿时间:2003年8月18日

One-dimensional Self-consistent Numerical Model and Two-dimensional Electron Gases for AlGaN/GaN
MA Long,WANG Yan,Yu Zhiping,Tian Lilin.One-dimensional Self-consistent Numerical Model and Two-dimensional Electron Gases for AlGaN/GaN[J].Research & Progress of Solid State Electronics,2005,25(2):172-176.
Authors:MA Long  WANG Yan  Yu Zhiping  Tian Lilin
Abstract:One-dimensional Poisson-Schrodinger equations are solved self-consistently, from which the AlGaN/GaN heterostructure conduction band and the 2DEG density are investigated. The influence of spacer layer width on the 2DEG density is calculated for the first time, explanation and analyses are also given.
Keywords:AlGaN/GaN  Poisson equation  Schrodinger equation  self-consistent solution  2DEG
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