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聚合物薄膜场效应晶体管研究进展
引用本文:刘玉荣,李渊文,刘汉华.聚合物薄膜场效应晶体管研究进展[J].现代显示,2006(5):53-58.
作者姓名:刘玉荣  李渊文  刘汉华
作者单位:1. 华南理工大学,物理科学与技术学院;华南理工大学,有机光电材料与器件研究所,广东,广州,510640
2. 华南理工大学,物理科学与技术学院
摘    要:有机薄膜场效应晶体管(OFET)在电子报纸、智能识别卡、大面积平板显示及柔性显示、传感器、数字逻辑电路等方面具有非常广阔的应用前景。在OFET家族中,聚合物半导体膜因具有机械性能好、热稳定性高、成膜方法简单经济以及特别适合于制备大面积器件等特点,而使聚合物薄膜场效应晶体管(PFET)近几年来倍受关注。本文概述PFET的基本结构和工作原理、器件设计和制备以及相关的研究进展,最后讨论PFET器件未来的研究方向。

关 键 词:聚合物场效应晶体管  有机薄膜场效应晶体管  薄膜晶体管
文章编号:1006-6268(2006)05-0053-06
收稿时间:2006-03-20
修稿时间:2006年3月20日

The Research Progress in Polymer Thin-film Field-effect Transistors
LIU Yu-rong,LI Yuan-wen,LIU Han-hua.The Research Progress in Polymer Thin-film Field-effect Transistors[J].Advanced Display,2006(5):53-58.
Authors:LIU Yu-rong  LI Yuan-wen  LIU Han-hua
Affiliation:1. School of Physics and Technology; 2.Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices ,South China University of Technology,Guangdong Guangzhou 510640,China
Abstract:Organic thin film field-effect transistors(OFETs) have great potential for a wide variety of applications,such as electronic paper,smart identification cards,large-area flat-panel and flexible displays,sensors,and digital logic circuits.Recently,polymer thin film field-effect transistors(PFETs) have extensively been attended as their better mechanical properties and thermal stability,simple fabrication processes,and large-area.In this article,we describe the basic device structure and operating principle,device design and fabrication,and the related research progress.Finally,The study trends in the field are discussed.
Keywords:PFET  OFET  TFT
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