| 石墨烯场效应晶体管研究进展 |
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| 引用本文： | 吕晓丽,肖荣林,李克伦,苏艳敏,吴浩波,王文婧,马卫平,张文发.石墨烯场效应晶体管研究进展[J].陕西煤炭,2020,39(z1). |
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| 作者姓名： | 吕晓丽 肖荣林 李克伦 苏艳敏 吴浩波 王文婧 马卫平 张文发 |
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| 作者单位： | 陕西煤业化工技术研究院有限责任公司,陕西 西安 710065;陕西煤业化工技术研究院有限责任公司,陕西 西安 710065;陕西煤业化工技术研究院有限责任公司,陕西 西安 710065;陕西煤业化工技术研究院有限责任公司,陕西 西安 710065;陕西煤业化工技术研究院有限责任公司,陕西 西安 710065;陕西煤业化工技术研究院有限责任公司,陕西 西安 710065;陕西煤业化工技术研究院有限责任公司,陕西 西安 710065;陕西煤业化工技术研究院有限责任公司,陕西 西安 710065 |
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| 摘 要： | 石墨烯具有优异的光、电、热及机械性能,在传统硅基器件日益趋近物理极限的背景下,石墨烯场效应晶体管(GFET)作为一种新型纳米器件受到广泛的关注。介绍了GFET在模拟电路和数字电路中的研究进展,分析了目前存在的问题:模拟电路主要应该提高GFET的最大振荡频率(f_(max))使之与截至频率(f_T)相符;数字电路主要应该采取有效方法打开石墨烯带隙、提高开关比,并介绍了通过构建石墨烯纳米带、双层石墨烯、掺杂法及通过基底影响等来打开带隙的方法。与数字电路相比,GFET在模拟电路中更具有应用潜力,如在太赫兹领域已表现出优异的性能。石墨烯和硅互为补充,以混合电路的形式加以应用也是一个很好的切入点。
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| 关 键 词： | 石墨烯场效应晶体管(GFET) 模拟电路 数字电路 带隙调控 |
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