纳米巨磁阻材料

巨磁阻抗效应是指磁性材料的交变阻抗随外磁场显著变化的效应。产生巨磁阻效应 (GMR)的磁性多层膜最简单的结构为铁磁性膜 (<10nm) /非磁性金属膜 (1～ 2nm) /铁磁性膜 (<10nm) ,称作三明治结构。纳米巨磁阻 (GMR)材料将对信息技术、汽车制造技术产生深远影响。 1992年日本名古屋大学科学工作者首先在Co基非晶丝中观察到在几个奥斯特磁场下材料的阻抗变化ΔΖ/Z0 高达 5 0 % ,比金属多层膜Fe/Cu或Co/Ag在低温、高场强下观察到的巨磁阻效应高一个数量级 ,因而被称为巨磁阻抗效应 (GiANtMagneto impedANceeffect)。近来还发现 ,如果适…