| PECVD工艺参数对nc-Si:H膜质量的影响 |
| |
| 引用本文： | 彭英才,刘明,何宇亮. PECVD工艺参数对nc-Si:H膜质量的影响[J]. 稀有金属, 1998, 22(4): 277-280 |
| |
| 作者姓名： | 彭英才 刘明 何宇亮 |
| |
| 作者单位： | 1. 河北大学电子与信息工程系
2. 北京航空航天大学 |
| |
| 摘 要： | 研究了ＰＥＣＶＤ生长ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ膜过程中ＳｉＨ４气体稀释比，平衡反应气压、衬底温度、等离子体射频功率和直流负偏压等各种工艺参数对生成膜层质量的影响，探讨了提高膜层质量的新途径。
|
| 关 键 词： | nc－Si：H膜 膜层质量 工艺参数 PECVD |
Effects of Technique Parameters on Quality of nc-Si:H Films |
| |
| Pen Yingcai,Liu Ming,He Yuliang. Effects of Technique Parameters on Quality of nc-Si:H Films[J]. Chinese Journal of Rare Metals, 1998, 22(4): 277-280 |
| |
| Authors: | Pen Yingcai Liu Ming He Yuliang |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
