首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

PECVD工艺参数对nc-Si:H膜质量的影响
引用本文:彭英才,刘明,何宇亮. PECVD工艺参数对nc-Si:H膜质量的影响[J]. 稀有金属, 1998, 22(4): 277-280
作者姓名:彭英才  刘明  何宇亮
作者单位:1. 河北大学电子与信息工程系
2. 北京航空航天大学
摘    要:研究了PECVD生长nc-Si:H膜过程中SiH4气体稀释比,平衡反应气压、衬底温度、等离子体射频功率和直流负偏压等各种工艺参数对生成膜层质量的影响,探讨了提高膜层质量的新途径。

关 键 词:nc-Si:H膜 膜层质量 工艺参数 PECVD

Effects of Technique Parameters on Quality of nc-Si:H Films
Pen Yingcai,Liu Ming,He Yuliang. Effects of Technique Parameters on Quality of nc-Si:H Films[J]. Chinese Journal of Rare Metals, 1998, 22(4): 277-280
Authors:Pen Yingcai  Liu Ming  He Yuliang
Abstract:
Keywords:
本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号