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| 一种新的水平法生长GaAS单晶的籽晶方向 | |
| 引用本文： | 张国利,李光华.一种新的水平法生长GaAS单晶的籽晶方向[J].稀有金属,1981(2). |
| 作者姓名： | 张国利 李光华 |
| 作者单位： | 冶金部有色金属研究总院 (张国利)，冶金部有色金属研究总院(李光华) |
| 摘 要： | 本文从理论和实际出发,分别讨论了:<1>优良生长面;<2>位错与籽晶方向的关系;<3>籽晶方向与生长方向的关系。提出了一个新的水平生长GaAs单晶的籽晶方向:<111>向<110>偏7°54′,其轴向垂直剖面为{110)(即<110>晶带)。 |
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