| 光学级锗晶体生长方法新进展 |
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| 引用本文： | 苏小平.光学级锗晶体生长方法新进展[J].稀有金属,1999,23(4):311-315. |
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| 作者姓名： | 苏小平 |
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| 作者单位： | 北京有色金属研究总院,北京100088 |
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| 摘 要： | 介绍了９０年代以来，光学有锗晶体生长方法的新进展。着重介绍了ＶＧＦ法制备锗单晶、铸造法制备锗多晶的工艺和装置。简单比较了不同方法制备的锗晶体的主要光学、电学性能及制造成本。
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| 关 键 词： | 锗晶体 生长方法 光学级 红外透射材料 |
| 修稿时间： | 1998年6月16日 |
New Progress in Growth Methods of Optics-grade Ge Crystals |
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| Su Xiaoping.New Progress in Growth Methods of Optics-grade Ge Crystals[J].Chinese Journal of Rare Metals,1999,23(4):311-315. |
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| Authors: | Su Xiaoping |
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| Abstract: | Recent progress in growth methods of Ge crystals for optics was introduced. The VGF, CZ, heat exchange method for Ge single crystals and the cast method for Ge polycyrstals was specially discussed. |
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| Keywords: | Ge crystals Growth methods Progress |
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