| TEM观察砷化镓晶片损伤层 |
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| 引用本文： | 陈坚邦,钱嘉裕,杨钧.TEM观察砷化镓晶片损伤层[J].稀有金属,1998,22(5):392-395. |
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| 作者姓名： | 陈坚邦 钱嘉裕 杨钧 |
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| 作者单位： | 北京有色金属研究总院,北京,100088 |
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| 摘 要： | 用透射电镜、扫描电镜对ＧａＡｓ材料加工工艺中的表面损伤层进行了观察和检测。结果切片损伤层深度≤５０μｍ、双面研磨损伤层深度≤１５μｍ、机械化学抛光损伤层深度（腐蚀前）＜１．２μｍ。分析了损伤结构及其引入的因素。
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| 关 键 词： | 砷化镓晶片 损伤层 透射电镜（TEM） 扫描电镜（SEM） |
Observation of Damage Layer on Surface of GaAs Wafer by TEM |
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| Chen Jianbang,Qian Jiayu,Yang Jun.Observation of Damage Layer on Surface of GaAs Wafer by TEM[J].Chinese Journal of Rare Metals,1998,22(5):392-395. |
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| Authors: | Chen Jianbang Qian Jiayu Yang Jun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaAs wafer Damage layer TEM SEM |
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