| Si衬底上SrMnO3缓冲层对La0.8Sr0.2MnO3薄膜择优取向生长的影响 |
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| 引用本文： | 杜永胜,王波,许仕龙,于敦波,李彤,严辉,张深根.Si衬底上SrMnO3缓冲层对La0.8Sr0.2MnO3薄膜择优取向生长的影响[J].稀有金属,2004,28(6):963-966. |
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| 作者姓名： | 杜永胜 王波 许仕龙 于敦波 李彤 严辉 张深根 |
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| 作者单位： | 1. 北京工业大学材料学院薄膜材料与技术研究室,北京,100022
2. 北京有色金属研究总院,有研稀土新材料股份有限公司,北京,100088 |
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| 基金项目： | 北京市自然科学基金重点项目 (G2 0 2 1 0 0 3)，科技部重大基础研究前期研究专项项目 (G2 0 0 2CCC0 1 30 0 ) |
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| 摘 要： | 利用磁控溅射方法在(100)Si衬底上首先生长SrMnO3(SMO)作为缓冲层，再沉积得到了(110)择优取向生长的La08Sr02Mn03(LsMO)薄膜。利用X射线衍射仪分析了SMO缓冲层的结构特征对LSMO薄膜择优取向生长的影响。结果表明：当沉积温度为600℃时，增加缓冲层SMO的厚度，LSMO薄膜的取向性变好；当缓冲层SMO厚度为45nm时，LSMO薄膜基本具有(110)取向生长的特征。进一步的工作证实：提高沉积温度，能够显著增加SMO缓冲层的晶粒大小，并减少LSMO薄膜择优取向生长所需的缓冲层厚度；当沉积温度为800℃时，由于类退火作用的存在，厚度为10nm的SMO缓冲层就可以实现LSMO薄膜择优取向的生长。
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| 关 键 词： | LSMO薄膜 SMO缓冲层 择优取向生长 |
| 文章编号： | 0258-7076(2004)06-0963-04 |
Preferentially Oriented Effect of SrMnO3 Buffer Layer to La0.8Sr0.2MnO3 Thin Films on Si (100) Substrate |
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| Du Yongsheng,Wang Bo ,Xu Shilong,Yu Dunbo,Li Tong,Yan Hui,Zhang Shengen.Preferentially Oriented Effect of SrMnO3 Buffer Layer to La0.8Sr0.2MnO3 Thin Films on Si (100) Substrate[J].Chinese Journal of Rare Metals,2004,28(6):963-966. |
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| Authors: | Du Yongsheng Wang Bo Xu Shilong Yu Dunbo Li Tong Yan Hui Zhang Shengen |
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| Affiliation: | Du Yongsheng1,Wang Bo 1*,Xu Shilong1,Yu Dunbo2,Li Tong1,Yan Hui1,Zhang Shengen2 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | LSMO SMO buffer layers preferential orientation |
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