| 金属有机化合物化学气相沉积法制备铱薄膜的研究 |
| |
| 引用本文： | 蔡宏中,胡昌义,陈力,王云.金属有机化合物化学气相沉积法制备铱薄膜的研究[J].稀有金属,2009,33(2). |
| |
| 作者姓名： | 蔡宏中 胡昌义 陈力 王云 |
| |
| 作者单位： | 昆明贵金属研究所,云南,昆明,650106 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，云南省自然科学基金 |
| |
| 摘 要： | 以乙酰丙酮铱为前驱体,采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术在钼基体上制备了铱薄膜.研究了铱的沉积速率与基体温度、乙酰丙酮铱的加热温度和运载气体(Ar)流速等沉积参数的关系.铱薄膜的沉积速率与沉积温度之间的关系不符合Arrhenius方程:沉积速率与绝对温度的倒数呈抛物线关系,当温度为750℃时,铱的沉积速率达到最大值,基体温度对薄膜质量有显著影响;随着以乙酰阿酮铱加热温度的升高,铱的沉积速率直线增加;而Ar流速的增大则显著减小铱的沉积速率.
|
| 关 键 词： | 金属有机化合物化学气相沉积 铱 薄膜 |
Iridium Film Prepared by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition |
| |
| Cai Hongzhong,Hu Changyi,Chen Li,Wang Yun.Iridium Film Prepared by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition[J].Chinese Journal of Rare Metals,2009,33(2). |
| |
| Authors: | Cai Hongzhong Hu Changyi Chen Li Wang Yun |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
