| 半绝缘砷化镓晶片中碳的微区分布 |
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| 引用本文： | 徐岳生,杨新荣,郭华锋,唐蕾,刘彩池,王海云,魏欣.半绝缘砷化镓晶片中碳的微区分布[J].稀有金属,2004,28(3):544-546. |
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| 作者姓名： | 徐岳生 杨新荣 郭华锋 唐蕾 刘彩池 王海云 魏欣 |
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| 作者单位： | 1. 河北工业大学材料学院信息功能材料研究所,天津,300130
2. 深圳机场机务工程部,广东,深圳,518028 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 ( 60 2 760 0 9)，中国人民解放军总装备部 ( 0 0JS0 2 .2 .1QT45 0 1)，河北省自然科学基金 ( 5 990 3 3 )资助项目 |
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| 摘 要： | 通过化学腐蚀(AB腐蚀液)、金相显微镜观察、透射电镜(TEM)及能谱分析(EDX)，对LEC法生产的半绝缘砷化镓(SI-GaA8)单晶中碳的傲区分布进行了分析。其结果表明：碳的微区分布与晶片中位错密度及分布存在对应关系。高密度位错区位错形成胞状结构，该结构的胞壁区碳含量高，近胞壁区次之，剥光区碳含量低于检测限。
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| 关 键 词： | SI-GaAs 位错 碳含量 能谱分析 |
| 文章编号： | 0258-7076(2004)03-0544-03 |
Distribution of C Acceptor Defect in Semi-Insulation Gallium Arsenide |
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| Xu Yuesheng.Distribution of C Acceptor Defect in Semi-Insulation Gallium Arsenide[J].Chinese Journal of Rare Metals,2004,28(3):544-546. |
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| Authors: | Xu Yuesheng |
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| Affiliation: | Xu Yuesheng~ |
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| Abstract: | Micro-distribution of C acceptor in LEC SI-GaAs wafer was investigated by means of chemical etching, microscope observation, transmission electron microscope (TEM), energy dispersive X-ray detector (EDX). The experimental results show that there is a corresponding relationship between distribution of C impurity and dislocation density in wafer. The C concentration is higher in the cell wall of cellular dislocation than that in the vicinity of the cell wall, and there is no C impurity in the denuded zone. |
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| Keywords: | SI-GaAs dislocation carbon impurity energy dispersive X-ray detector (EDX) |
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