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| 纳米硅薄膜研究的最新进展 | |
| 引用本文： | 彭英才,何宇亮.纳米硅薄膜研究的最新进展[J].稀有金属,1999,23(1):42-55. |
| 作者姓名： | 彭英才 何宇亮 |
| 作者单位： | 1. 河北大学电子与信息工程学院,保定,071002 2. 北京航空航天大学材料物理与化学研究中心,北京,100083 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金,河北省自然科学基金 |
| 摘 要： | 纳米硅薄膜（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ）是一种新型低维人工半导体材料，它具有新颖的结构特征与独特的物理性质。综合评述了这种材料在制备方法、结构特征、输运性质和发光特性等方面的最新研究进展，并指出了今后的发展方面。 |
| 关 键 词： | 纳米硅薄膜 制备方法 结构特征 输运性质 半导体 |
| 修稿时间： | 1998-4-30 |
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