|
|||||
|
|
| GaP单晶衬底的位错密度对LED用LPE材料的影响 | |
| 引用本文： | 李桂英,杨锡震.GaP单晶衬底的位错密度对LED用LPE材料的影响[J].稀有金属,1997,21(5):389-391. |
| 作者姓名： | 李桂英 杨锡震 |
| 作者单位： | 北京师范大学物理系 |
| 摘 要： | ＧａＰ单晶衬底的位错密度对ＬＥＤ用ＬＰＥ材料的影响李桂英杨锡震孙寅官王亚非（北京师范大学物理系，北京１００８７５）关键词：ＧａＰＬＥＤ位错ＬＰＥ１前言高效率绿色发光二极管（ＬＥＤ）的少数载流子扩散长度接近７μｍ［１］。当外延层的位错密度过高时，位错间... |
| 关 键 词： | GaP LED 位错 LPE |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |