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正电子寿命谱仪探测器的输出影响因素和选择
引用本文:
尤富强.正电子寿命谱仪探测器的输出影响因素和选择[J].上海钢研,1997(1):42-44.
作者姓名:
尤富强
摘 要:
本文研究了正电子湮没寿命谱仪探测器的输出影响因素。两个最重要的影响因素是光电倍增管和BaF2晶体之间的光学耦合以及光电倍增管上所加的高压,我所正电子湮没寿命谱仪探测器所使用的高压选择为2.45kV,2.57kV,两个探测器的输出电压是1.8V。
关 键 词:
正电子湮没
寿命
谱仪
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