| 硅外延及其应用 |
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| 引用本文： | 徐远志,胡 亮,吴忠元.硅外延及其应用[J].云南冶金,2013(3):46-50. |
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| 作者姓名： | 徐远志 胡 亮 吴忠元 |
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| 作者单位： | [1]昆明冶研新材料股份有限公司,云南昆明650031 [2]昆明理工大学化学工程学院,云南昆明650500 |
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| 摘 要： | 介绍了硅外延生长技术，综述了应用于硅外延的分子束外延（MBE）、化学气相沉积（CVD）、液相沉积（LPE）三种工艺，并介绍了Si基外延材料器件的应用。
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| 关 键 词： | MBE CVD LPE 硅外延 应用 |
| 收稿时间： | 2013/4/7 0:00:00 |
Epitaxial Silicon and Its Application |
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| XU Yuanzhi,HU Liang and WU Zhongyuan.Epitaxial Silicon and Its Application[J].Yunnan Metallurgy,2013(3):46-50. |
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| Authors: | XU Yuanzhi HU Liang and WU Zhongyuan |
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| Affiliation: | 1. Kunming Yeyan New - Material Co. , Ltd. , Kunming, Yunnan 650031, China; 2. College of Chemical Engineering, Kunming University of Science and Technology, Kunming, Yunnan 650500, China) |
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| Abstract: | Silicon epitaxy growth technology is introduced, and three kinds of technologies applied to silicon epitaxy are summa- rized ： molecular beam epitaxy （ MBE）, chemical vapor deposition （CVD） , liquid deposition （ LPE）, and the application of Si base epitaxi- al material device is also introduced. |
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| Keywords: | MBE CVD LPE silicon epitaxy application |
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