掺杂Y2O3的ZnO导电陶瓷正电子寿命谱研究 |
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引用本文: | 籍远明.掺杂Y2O3的ZnO导电陶瓷正电子寿命谱研究[J].稀土,2003,24(3). |
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作者姓名: | 籍远明 |
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作者单位: | 中国矿业大学(北京校区),北京,100083 |
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基金项目: | 国家自然科学基金资助项目(19874017) |
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摘 要: | 用正电子湮没技术,结合X射线衍射结构分析,对掺杂Y2O3的ZnO导电陶瓷烧结过程进行了研究,给出了掺杂含量、烧结温度和烧结时间对材料结构的影响特征,研究发现:Y2O3掺杂量增加,ZnO导电陶瓷材料完整性变差;烧结温度升高,ZnO陶瓷产生微空洞为主的缺陷;烧结时间增加,微空洞缺陷数目明显增加。同时对正电子湮没机制与ZnO陶瓷导电特性的关联进行了研究。
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关 键 词: | 导电陶瓷 正电子湮没 缺陷 |
Study of Positron Lifetime Spectrum in ZnO Conductive Ceramics Doped with Y2O3 |
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Abstract: | |
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Keywords: | conductive ceramics positron annihilation defect |
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