| Bi:YIG石榴石薄膜生长工艺和磁光性能研究 |
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| 引用本文： | 王娟娟,李旭辉,曹阳,贾胜利.Bi:YIG石榴石薄膜生长工艺和磁光性能研究[J].山东化工,2020,49(10). |
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| 作者姓名： | 王娟娟 李旭辉 曹阳 贾胜利 |
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| 作者单位： | 吕梁学院 化学化工系,山西 吕梁 033001;关帝山国有林管理局 千年林场,山西 吕梁 033001 |
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| 基金项目： | 山西省工程优势特色学科——材料科学与工程(吕梁学院) |
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| 摘 要： | 本文采用脉冲激光淀积PLD法在Si基片上生长了Bi掺杂钇铁石榴石(Bi:YIG),得到了Bi_(1.5)Y_(1.5)Fe_5O_(12)磁光薄膜。通过改变衬底温度和反应氧分压来控制淀积的薄膜质量。利用X射线衍射仪(XRD)和法拉第旋光测试装置测定了样品的物相结构和磁光性能。结果表明,在单步淀积生长Bi_(1.5)Y_(1.5)Fe_5O_(12)/Si过程中,基底温度越低、氧分压越高,越有利于薄膜结晶;同时生长了种子层YIG的Bi_(1.5)Y_(1.5)Fe_5O_(12)/YIG/Si的薄膜,较高的淀积温度和较高的氧分压是生长高结晶度Bi:YIG的必要条件。生长了种子层的薄膜结晶效果明显优于一步淀积生长的薄膜,且具有大的比法拉第旋转角,可以改善薄膜的磁光性能。
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| 关 键 词： | YIG 磁光薄膜 物相结构 磁光性能 |
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