|
|||||
|
|
| 单斜相BiVO_4光催化性能理论计算 | |
| 引用本文： | 张荔,邹瑜,李思豆.单斜相BiVO_4光催化性能理论计算[J].广东化工,2016(13):12-13. |
| 作者姓名： | 张荔 邹瑜 李思豆 |
| 作者单位： | 海南师范大学化学与化工学院,海南海口,571158 |
| 基金项目： | 海南省大学生创新训练项目(20140066) |
| 摘 要： | 文章采用Material studio软件中CASTEP模块,利用第一性原理及广义梯度近似法,对单斜相BiVO_4光催化性能进行模拟计算。考察了其带隙、态密度、光学性质等。计算结果表明BiVO_4是良好的窄带隙半导体材料,对紫外光及可见光都有明显的吸收。 |
| 关 键 词： | BiVO4 光催化 第一性原理 能带 |
Theoretical Calculations of Monoclinic BiVO4 Photocatalytic Properties |
|
| Abstract: | |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ | |