N/Si共掺杂的TiO_2 NRs光电化学性质研究的新视点 |
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引用本文: | 姚敏,王泽,喜俊花,王雪槐,陈晶,陕多亮,卢小泉.N/Si共掺杂的TiO_2 NRs光电化学性质研究的新视点[J].广东化工,2018(7). |
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作者姓名: | 姚敏 王泽 喜俊花 王雪槐 陈晶 陕多亮 卢小泉 |
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作者单位: | 西北师范大学化学化工学院甘肃省生物电化学与环境分析重点实验室 |
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摘 要: | 元素掺杂是抑制电荷重组和改变TiO_2带隙的有效手段,因此提高了其光催化活性。在这里,我们首先报告了N/Si共掺杂单晶金红石TiO_2纳米线通过一步水热法诱导的共掺杂制备的,用于改善在FTO电基底上生长的TiO_2纳米线的光电化学性能。这项工作报告了,用传统的电化学法研究在1.23 V时表现出2.17 m A cm-2的光电流,优异的光电化学性能可归因于N和Si共掺杂剂改变TiO_2带隙,增强对紫外和可见光区中的入射光子吸收的,并提高了光电转换效率。然后结合原位、实时的UV-vis/SECM技术研究了改善的光电阳极/电解液界面间的光诱导电子转移(PET)行为。发现N/Si共掺杂TiO_2纳米线的keff最大,说明N/Si共掺杂的协同作用共同抑制电荷重组,提高了量子效率,引起微区PET动力学增加。
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