高硅去除率电去离子技术制备高纯水的研究

将BM引入到CEDI中,构建了BMEDI装置,研究其对弱电解质硅去除的改进效果,并将其与CEDI进行对比考察。结果表明,以一级RO水为进水,在膜堆电流低于0.08A时,BMEDI在产水水质上稍优于CEDI且其膜堆电阻较CEDI更低。进一步以人工添加进水Si含量的方式对BMEDI与CEDI进行考察,在进水Si的质量浓度分别为0.5、1.0、1.5、2.0 mg/L条件下,BMEDI的产水水质和除Si效果均优于CEDI;在上述的进水条件下继续运行25 h,当进水Si的质量浓度为1.5 mg/L时BMEDI的Si去除率和产水电阻率分别达到94.65%和15.0 MΩ·cm,而CEDI则已下降至61.25%和10MΩ·cm。研究表明BMEDI能够适应较高的原水Si含量而稳定制取高纯水,对工业及实验室超纯水的制备具有应用前景。