| 硫代硫酸盐法浸出废旧IC芯片中金的试验研究 |
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| 引用本文： | 陈立乐,王景伟,白建峰,王鹏程,赵新.硫代硫酸盐法浸出废旧IC芯片中金的试验研究[J].化工进展,2015(3):884-890. |
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| 作者姓名： | 陈立乐 王景伟 白建峰 王鹏程 赵新 |
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| 作者单位： | 1. 上海第二工业大学电子废弃物资源化产学研合作开发中心,上海,201209
2. 中国电器科学研究院有限公司,广东 广州,510275 |
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| 基金项目： | 上海市教委创新重点项目，国家自然科学基金，广东省战略新兴产业项目，校重点学科建设项目(XXKYS1404)。 |
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| 摘 要： | 介绍了当前电子废弃物中常用的浸金方法及其优缺点,分析了电子废弃物中硫代硫酸盐法浸金的研究现状。针对这一研究现状,本文采用碱性Na2S2O3溶液中添加Cu2+的方法,对废旧IC(integratedcircuit)芯片中金的浸出进行了试验研究。通过对IC样品进行机械预处理、粒度分析、解离度分析、化学预处理和浸金试验,探讨了Na2S2O3浓度、Cu2+浓度、NH3浓度、浸出温度、浸出时间和反应液固比6个因素对金浸出率的影响。试验得出最佳浸金条件为:Na2S2O3浓度0.3mol/L,Cu2+浓度0.03mol/L,NH3浓度0.5mol/L,添加3.5g/L的Na2SO3作为稳定剂,浸取温度50℃,浸取时间2.5h,液固比10∶1,在最佳浸出条件下,金的最高浸出率为92.25%。与传统方法相比,该方法具有浸出速度快、浸出液无毒、操作简单等优点,是一种具有开发潜力的电子废弃物浸金方法。
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| 关 键 词： | 粉碎 分离 硫代硫酸钠 废旧芯片 回收 浸金 |
Experimental study of gold leaching from waste IC with thiosulfate |
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| CHEN Lile,WANG Jingwei,BAI Jianfeng,WANG Pengcheng,ZHAO Xin.Experimental study of gold leaching from waste IC with thiosulfate[J].Chemical Industry and Engineering Progress,2015(3):884-890. |
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| Authors: | CHEN Lile WANG Jingwei BAI Jianfeng WANG Pengcheng ZHAO Xin |
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| Affiliation: | CHEN Lile;WANG Jingwei;BAI Jianfeng;WANG Pengcheng;ZHAO Xin;Cooperative Centre for WEEE Recycling,Shanghai Second Polytechnic University;China Electric Apparatus Research Institute Co.,Ltd.; |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | crushing separation sodium thiosulfate waste integrated circuit recovery gold leaching |
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