| 二氧化钒薄膜制备研究的最新进展 |
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| 引用本文： | 丰世凤,宁桂玲,王舰,林源.二氧化钒薄膜制备研究的最新进展[J].化工进展,2007,26(6):814-818. |
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| 作者姓名： | 丰世凤 宁桂玲 王舰 林源 |
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| 作者单位： | 大连理工大学化工学院精细化工国家重点实验室,辽宁,大连,116012 |
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| 摘 要： | VO2在68℃附近发生从高温金属相到低温半导体相的突变,且相变可逆。由于相变前后其电、磁、光性能有较大的变化,使得它在光电开关材料、存储介质、气敏传感器和智能玻璃等方面有着广泛的应用。然而由于VO2稳定存在的组分范围狭窄,使得制备高纯度VO2薄膜较为困难。为此人们做了很多工作来研究VO2薄膜的制备。本文综述了2000年以来VO2薄膜制备方法的研究情况,比较了各种制备方法对薄膜性能的影响,介绍了VO2薄膜研究的最新研究进展,并为扩大其应用领域而探讨了今后的研究方向。
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| 关 键 词： | 二氧化钒 相变 薄膜制备 |
| 文章编号： | 1000-6613（2007）06-0814-05 |
| 收稿时间： | 2006-12-04 |
| 修稿时间： | 2006-12-042007-04-05 |
Recent progress of research on VO2 thin film |
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| FENG Shifeng,NING Guiling,WANG Jian,LIN Yuan.Recent progress of research on VO2 thin film[J].Chemical Industry and Engineering Progress,2007,26(6):814-818. |
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| Authors: | FENG Shifeng NING Guiling WANG Jian LIN Yuan |
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| Affiliation: | State Key Laboratory of Fine Chemicals, School of Chemical Engineering, Dalian University of Technology, Dalian 116012, Liaoning, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | VO2 phase transition film preparation |
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