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| SrTiO_半导瓷介电常数与击穿电压间的内在联系 | |
| 作者姓名： | 华渊 胡宗民 |
| 作者单位： | 石家庄铁道学院桥梁系(华渊)，天津大学材料系(胡宗民) |
| 摘 要： | 采用一次烧成法制备了掺杂SrTiO_3晶界层电容器。首次注意到SrTiO_3晶界层电容器的介电常数K_(eff)和击穿电压V_(BK)间存在lnK_(eff)∝(-V_(BK)~(1/3))的实验关系。借助于改进的双层晶界势垒模型和氧化动力学过程,对这种K_(eff)-V_(BK)关系作了定量计算。计算的K_(eff)-V_(BK)关系和实验结果最大误差不超过7％。阐明了提高SrTiO_3晶界层电容器击穿强度的可能途径。 |
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