| In含量对Ge-In-Se薄膜光学特性的影响(英文) |
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| 引用本文： | 陈芬,王永辉,聂秋华,王国祥,陈昱,沈祥,戴世勋. In含量对Ge-In-Se薄膜光学特性的影响(英文)[J]. 硅酸盐学报, 2013, 41(3): 388-391 |
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| 作者姓名： | 陈芬 王永辉 聂秋华 王国祥 陈昱 沈祥 戴世勋 |
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| 作者单位： | 宁波大学信息科学与工程学院,浙江宁波,315211 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目，宁波市创新团队项目(2009B21007):宁波市自然基金项目，宁波大学王宽诚幸福基金，宁波大学研究生科研创新基金和宁波大学大学生科技创新(SRIP)基金 |
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| 摘 要： | 采用磁控溅射法制备了Ge-In-Se硫系薄膜,利用X射线衍射、可见-近红外吸收光谱和Raman光谱分析等技术对Ge-In-Se硫系薄膜的相态、结构和光学特性进行了研究和分析。结果表明:该Ge-In-Se薄膜具有良好的非晶特性。Raman光谱分析表明:[GeSe4]四面体Ge—Se键的高频振动模式是该薄膜的主要振动模式之一,且Ge—Se键的振动强度随着In含量的增加而减小;当In的含量达到13.87%(摩尔分数)时,[GeSe4]四面体消失,而[InSe4]四面体的对称伸缩振动模式成为了主要振动模式。采用Swanepoel方法和经典Tauc方程计算发现:随着In含量增加,该薄膜的短波吸收限红移,折射率逐渐增大,光学带隙逐渐减小。
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| 关 键 词： | 锗-铟-硒薄膜 光学带隙 Raman分析 |
Effect of In Content on Optical Properties of Ge-In-Se Thin Films |
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| CHEN Fen,WANG Yonghui,NIE Qiuhua,WANG Guoxiang,CHEN Yu,SHEN Xiang,DAI Shixun. Effect of In Content on Optical Properties of Ge-In-Se Thin Films[J]. Journal of The Chinese Ceramic Society, 2013, 41(3): 388-391 |
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| Authors: | CHEN Fen WANG Yonghui NIE Qiuhua WANG Guoxiang CHEN Yu SHEN Xiang DAI Shixun |
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| Affiliation: | (College of Information Science and Engineering,Ningbo University,Ningbo 315211,Zhejiang,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | germanium-indium-selenium thin films optical band gap Raman analysis |
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