不同粒径磨料对蓝宝石晶片及其抛光过程的影响 |
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引用本文: | 张丽萍,苗如林,沈正皓,郭立,陈庆敏,林海,李春,李建勳,曾繁明,刘景和.不同粒径磨料对蓝宝石晶片及其抛光过程的影响[J].硅酸盐学报,2018(1). |
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作者姓名: | 张丽萍 苗如林 沈正皓 郭立 陈庆敏 林海 李春 李建勳 曾繁明 刘景和 |
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作者单位: | 长春理工大学光电功能材料教育部工程研究中心;南京京晶光电科技有限公司; |
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摘 要: | 采用不同粒径的W28和W7碳化硼(B_4C)磨料对蓝宝石晶片进行研磨和化学机械抛光。研究了不同粒径的B_4C磨料对蓝宝石晶片研磨和化学机械抛光后的移除率、粗糙度、平坦度、弯曲度、翘曲度等参数的影响。结果表明:W28和W7的磨料有不同的研磨和抛光性能,在相同的加工条件下,使用W28的B_4C磨料,移除速率较快,但研磨所得蓝宝石晶片的损伤层较深,单面抛光20μm不足以去除其损伤层,抛光后表面划痕较多,粗糙度较大(R_a=1.319 nm,R_t=2.584 nm),表面有明显起伏;而W7磨料的移除速率慢,研磨时间长,在单面抛光移除20μm后其损伤层全部移除,抛光所得蓝宝石晶片平坦度略佳,抛光表面平整,粗糙度较小(R_a=0.194 nm,R_t=0.361 nm),无明显起伏,表面质量相对较高,适于精修平坦度。
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