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| 分凝对0.80Na_(1/2)Bi_(1/2)TiO_3-0.20BaTiO_3铁电单晶电学性能的影响 | |
| 引用本文： | 陈超,江向平,林迪,刘洪,张钦辉,罗豪.分凝对0.80Na_(1/2)Bi_(1/2)TiO_3-0.20BaTiO_3铁电单晶电学性能的影响[J].硅酸盐学报,2009,37(8). |
| 作者姓名： | 陈超 江向平 林迪 刘洪 张钦辉 罗豪 |
| 作者单位： | 1. 景德镇陶瓷学院材料学院,江西,景德镇,333001;中国科学院上海硅酸盐研究所,高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海,201800 2. 景德镇陶瓷学院材料学院,江西,景德镇,333001 3. 中国科学院上海硅酸盐研究所,高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海,201800 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，教育部新世纪优秀人才支持计划，江西省自然科学基金(2008GZC0009):上海市科委基金 |
| 摘 要： | 采用坩埚下降法生长了尺寸为φ12mm×70mm的0.80Na1/2Bi1/2TiO3-0.20BaTiO3(0.80NBT-0.20BT)无铅铁电单晶.通过X射线荧光分析研究了晶体中的分凝现象.结果表明:该单晶沿其纵向生长方向由项部至底部,BaTiO3(BT)含量逐渐增加,晶体棒底部BT含量为32.15%(摩尔分数,下同),而顶部BT含量为14.26%.XRD分析表明:室温下晶体棒为四方相钙钛矿结构.随着BT含量增加,室温下晶体001]方向的介电常数减小,去极化温度升高.位于晶体棒中间部位的晶体样品0.81NBT-0.19BT的压电性能最佳,室温下该样品在001]方向的电学性能指标分别为:压电系数d33=158 pC/N,机电耦合系数kt=0.463. |
| 关 键 词： | 铁电单晶 分凝 介电弛豫 压电性能 坩埚下降法 |
EFFECTS OF SEGREGATION ON DIELECTRIC AND PIEZOELECTRIC PROPERTIES OF 0.80Na_(1/2)Bi_(1/2)TiO_3-0.20BaTiO_3 FERROELECTRIC SINGLE CRYSTAL |
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| CHEN Chao,JIANG Xiangping,LIN Di,LIU Hong,ZHANG Qinhui,LUO Haosu.EFFECTS OF SEGREGATION ON DIELECTRIC AND PIEZOELECTRIC PROPERTIES OF 0.80Na_(1/2)Bi_(1/2)TiO_3-0.20BaTiO_3 FERROELECTRIC SINGLE CRYSTAL[J].Journal of The Chinese Ceramic Society,2009,37(8). | |
| Authors: | CHEN Chao JIANG Xiangping LIN Di LIU Hong ZHANG Qinhui LUO Haosu |
| Affiliation: | 1. College of Materials;Jingdezhen Ceramic Institute;Jingdezhen 333001;Jiangxi;2. The State Key Laboratory of High Performance Ceramics and Superfine Microstructure;Shanghai Institute of Ceramics;Chinese Academy of Sciences;Shanghai 201800;China |
| Abstract: | |
| Keywords: | ferroelectric single crystal segregation dielectric relaxor piezoelectric property Bridgman technique |
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