预热片蔓延合成SiC粉末机理的研究

对预热ＳＨＳ法合成ＳｉＣ粉末所需的最低预热温度及产物粒度与反应物始粒度的关系等进行了研究。发现合成的ＳｉＣ粉末的粒度与Ｓｉ粉粒度无关，在此基础上对ＳｉＣ的形成机制进行了探讨。在通氮气情况下，预热ＳＨＳ－ＳｉＣ反应中有一个β－Ｓｉ３Ｎ４的生成过程，但生成的β－Ｓｉ３Ｎ４在反应的高温下又很快分解。