| 退火温度对溅射法沉积Cu-Cr-O薄膜性能的影响 |
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| 引用本文： | 赵学平,张铭,白朴存,侯小虎,刘飞,严辉.退火温度对溅射法沉积Cu-Cr-O薄膜性能的影响[J].硅酸盐学报,2019,47(1):55-61. |
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| 作者姓名： | 赵学平 张铭 白朴存 侯小虎 刘飞 严辉 |
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| 作者单位： | 内蒙古工业大学材料科学与工程学院,呼和浩特,010051;北京工业大学材料科学与工程学院,北京,100124 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;内蒙古科技大学科学研究项目 |
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| 摘 要： | 使用Cu Cr O2陶瓷靶材,利用射频磁控溅射方法在石英衬底上沉积了Cu-Cr-O薄膜,研究了退火温度对Cu-Cr-O薄膜结构及光电性能的影响。X射线衍射分析显示,退火温度为973 K时薄膜即已晶化并形成单相铜铁矿结构CuCrO2,随着退火温度的升高,薄膜结晶性逐渐提高。紫外-可见光谱与电学性能测量结果表明:薄膜可见光透过率随退火温度升高呈上升趋势,电导率则呈下降趋势,在973～1273K退火薄膜的可见光透过率最高为50%,电导率最高为0.12 S/cm。扫描电子显微镜照片显示,Cu-Cr-O薄膜电导率的下降主要与退火产生的微裂纹有关。
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| 关 键 词： | 铜-铬-氧薄膜 退火温度 薄膜结构 光电性能 |
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